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晶體(tǐ)尺寸：8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：單斜磷 晶胞參數：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ= 97.50 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
三硒化锆晶體(tǐ)（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：單斜晶系 晶胞參數：a = 0.541 nm, b = 0.375 nm, c = 0.944 nm, α = γ = 90°, γ = 97.50° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化钼晶體(tǐ) 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學特性：N型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：99.995%
二硒化鎢晶體(tǐ) WSe2（Tungsten Diselenide）-P型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，P型 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硒化铟晶體(tǐ)（99.995%） InSe 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
二硒化鎢钯晶體(tǐ)（99.995%） PdSe2 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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