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硒化铋晶體(tǐ) Bi2Se3（Bismuth Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：10毫米 電(diàn)學性能：拓撲絕緣體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：菱面體(tǐ) 晶胞參數：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硒化镓晶體(tǐ) 2H-GaSe（Gallium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硒化鍺晶體(tǐ) GeSe （Germanium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：斜方晶系 晶胞參數：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化铪晶體(tǐ) HfSe2（Hafnium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硒化铟晶體(tǐ) In2Se3（Indium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：8-10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化钼晶體(tǐ) 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學特性：P型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：99.995%
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