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硒化铟晶體(tǐ)（百分(fēn)之99.995） In2Se3

簡要描述：硒化铟晶體(tǐ) In2Se3（Indium Selenide）
晶體(tǐ)尺寸：8-10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

  • 産品型号：
  • 廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
  • 更新時間：2018-07-10
  • 訪  問  量：1366

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硒化铟晶體(tǐ) In2Se3(Indium Selenide)
晶體(tǐ)尺寸：8-10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

 

X-ray diffraction on a 2H-In2Se3 (Indium Selenide) single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 8 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal In2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal In2Se3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

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