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硫化镓晶體(tǐ) GaS（Gallium Sulfide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硫化鍺晶體(tǐ) GeS（Germanium Sulfide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：斜方晶系 晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硫化铪晶體(tǐ) HfS2 （Hafnium Disulfide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硫化钼晶體(tǐ)（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide） 晶體(tǐ)結構：六邊形 類型：天然晶體(tǐ) 尺寸：~10mm-20mm 純度：99% 屬性：半導體(tǐ)
二硫化钼晶體(tǐ)（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶體(tǐ)尺寸:~10毫米 電(diàn)學性能：N型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硫化钼晶體(tǐ)（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶體(tǐ)尺寸:~10毫米 電(diàn)學性能：P型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
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