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大(dà)尺寸二硫化钼晶體(tǐ)（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米- 15毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.9%
二硫化鎢钼晶體(tǐ) MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy） 晶體(tǐ)尺寸：~6毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分(fēn)：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硫化铌晶體(tǐ) 3R-NbS2（Niobium Disulfide） 晶體(tǐ)尺寸：4毫米 電(diàn)學性能：金屬 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.330 nm, c = 1.792 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硫化鉛錫晶體(tǐ) PbSnS2（Lead Tin Disulfide） 晶體(tǐ)結構：六邊形 類型：天然晶體(tǐ) 尺寸：~8mm 純度：99.995% 屬性：半導體(tǐ)
二硫化铼晶體(tǐ) ReS2 （Rhenium Disulfide） 晶體(tǐ)結構：三斜晶晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：N型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：三斜晶系 晶胞參數：a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74°, β = 119.03°, γ = 89.97° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硫化錫晶體(tǐ) 2H-SnS2（Tin Sulfide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ)（~ 2.2ev） 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.364, c = 0.589 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
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