硒化镓晶體(tǐ)（百分(fēn)之99.995）2H-GaSe

簡要描述：硒化镓晶體(tǐ) 2H-GaSe（Gallium Selenide）
晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

産品型号：
廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
更新時間：2018-07-10
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詳細介紹

硒化镓晶體(tǐ) 2H-GaSe(Gallium Selenide)
晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a GaSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (001) with h = 4, 6, 8, 10, 12