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晶體(tǐ)尺寸:~6毫米 電(diàn)學性能:半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構:六邊形 晶胞參數:取決于合金成分(fēn):a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995%
硒化鎢钼晶體(tǐ) MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide) 晶體(tǐ)尺寸:6毫米 電(diàn)學性能:半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構:六邊形 晶胞參數:取決于合金成分(fēn):a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995%
二硒化铌晶體(tǐ) 2H-NbSe2(Niobium Selenide) 晶體(tǐ)尺寸:~10毫米 電(diàn)學性能:金屬,半導體(tǐ)(TC ~ 7.2k) Charge Density Waves (CDW) system, Tcdw ~33K 晶體(tǐ)結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)
二硒化鉑晶體(tǐ) PtSe2 (Platinum Selenide) 晶體(tǐ)尺寸:2-3毫米 電(diàn)學性能:半金屬 晶體(tǐ)結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995%
二硒化铼晶體(tǐ) ReSe2(Rhenium Selenide) 晶體(tǐ)尺寸:~8毫米 電(diàn)學性能:n型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構:三斜晶系 晶胞參數:a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9° 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995%
二硒化錫晶體(tǐ) SnSe2 (Tin Selenide) 晶體(tǐ)尺寸:~8毫米 電(diàn)學性能:半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995%
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