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二硒化锆晶體(tǐ) ZrSe2 （Zirconium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
晶體(tǐ)尺寸：亞毫米大(dà)小(xiǎo) 電(diàn)學特性：金屬 晶體(tǐ)結構：單斜晶系 晶胞參數：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90°，β= 102.87 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體(tǐ)尺寸：8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：單斜磷 晶胞參數：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ= 97.50 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
三硒化锆晶體(tǐ)（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：單斜晶系 晶胞參數：a = 0.541 nm, b = 0.375 nm, c = 0.944 nm, α = γ = 90°, γ = 97.50° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化钼晶體(tǐ) 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學特性：N型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：99.995%
二硒化鎢晶體(tǐ) WSe2（Tungsten Diselenide）-P型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，P型 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
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