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硒化铟晶體(tǐ)(99.995%) InSe 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
二硒化鎢钯晶體(tǐ)(99.995%) PdSe2 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
硒化鎢晶體(tǐ)(硫摻雜(zá))(99.995%) WSSe 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硒化錳(磷摻雜(zá))晶體(tǐ)(99.995%) MnPSe3 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
Bismuth Selenide (Bi₂Se₃) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.
World record size single crystal SnSe₂ (Tin diselenide) crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.
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