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Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide (2H-MoS₂) comes in bulk.
晶體(tǐ)尺寸:10毫米 電(diàn)學性能:半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構:斜方晶系 晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量
二硫化铌晶體(tǐ) 2H-NbS2(Niobium Disulfide) 晶體(tǐ)尺寸:2毫米 電(diàn)學性能:金屬,superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system. 晶體(tǐ)結構:六邊形 晶胞參數:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995%
三硫化铌晶體(tǐ)(99.995%) NbS3 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化鐵(磷摻雜(zá))晶體(tǐ)(99.995%) FePS3 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化錳(磷摻雜(zá))晶體(tǐ)(99.995%) MnPS3 晶體(tǐ)類型:合成 晶體(tǐ)純度:>99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物(wù)材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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