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硫化铋 Bi2S3 (Bismuth Sulfide)

簡要描述:晶體(tǐ)尺寸:10毫米
電(diàn)學性能:半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體(tǐ)類型:合成
晶體(tǐ)純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

  • 産品型号:
  • 廠商(shāng)性質:生(shēng)産廠家
  • 更新時間:2018-07-09
  • 訪  問  量:1689

詳細介紹

晶體(tǐ)尺寸:10毫米
電(diàn)學性能:半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體(tǐ)類型:合成
晶體(tǐ)純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

晶體(tǐ)尺寸:10毫米
電(diàn)學性能:半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體(tǐ)類型:合成
晶體(tǐ)純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

 

XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

EDX of a single crystal Bi2S3.

 

Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

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