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巨納集團NextCVD系列多功能寬密度等離(lí)子體(tǐ)CVD(ICP-LP-PE-CVD)結合了電(diàn)感耦合和電(diàn)容耦合輝光放(fàng)電(diàn)的優點,可在寬密度工(gōng)藝範圍(109-1013 cm-3)實現穩定的等離(lí)子體(tǐ)輔助CVD,具有優良的材料處理性能和廣泛的應用範圍,是目前功能強大(dà)的等離(lí)子體(tǐ)CVD系統。
NextCVD 的原創性高密度低頻(pín)平闆式電(diàn)感耦合等離(lí)子體(tǐ)系統。頻(pín)率可調節,從低頻(pín)0.5- 4MHz範圍内調節;電(diàn)感天線是平闆式,可根據客戶要求改變天線的形狀、大(dà)小(xiǎo),從而實現兩種不同的放(fàng)電(diàn)模式:電(diàn)感放(fàng)電(diàn)和電(diàn)容放(fàng)電(diàn),兩種模式下(xià)都能實現穩定放(fàng)電(diàn),兩種模式的等離(lí)子體(tǐ)特性截然不同,可以實現不同的功能。
多功能寬密度等離(lí)子體(tǐ)等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕産品特點
基片台可電(diàn)動旋轉、可加熱、可升降
配裝手動高真空插闆閥、手動角閥、電(diàn)腦複合真空計
由于采用了超高真空密封技術,極限真空度高,沉積室可進入10-5Pa量級,可保證更高的鍍膜純淨度,提高鍍膜質量
自動監控和保護功能,包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護等
配備可開(kāi)關觀察窗,方便觀察及取樣品
設備真空系統采用分(fēn)子泵+機械泵真空機組
采用磁力耦合傳動密封技術密封運動部件
真空規用金屬規,刀口金屬密封
性能技術參數
設備極限真空度:5.0×10-5Pa(等離(lí)子體(tǐ)沉積腔室)。5.0×10-1Pa進樣室
高密度等離(lí)子體(tǐ):電(diàn)子密度高能達到1013 cm-3
氣體(tǐ)物(wù)離(lí)化率:1-10%
電(diàn)感耦合離(lí)子體(tǐ)電(diàn)源發生(shēng)器頻(pín)率從0.5-4 MHz可調,功率可從0-5000 W調節
電(diàn)感天線有橢圓和圓形兩種,相應等離(lí)子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種,相應等離(lí)子體(tǐ)放(fàng)電(diàn)模式也有電(diàn)感和電(diàn)容模式兩種,可根據用途選擇。等離(lí)子體(tǐ)源石英窗口大(dà)小(xiǎo)可根據要求進行調節
供電(diàn):~380V三相供電(diàn)系統(容量7KW),冷卻水循環量1M3/H,工(gōng)作環境溫度10℃~35℃,冷卻水溫度18℃~25℃
設備占用面積12M2(設備安裝面積4M×3M)
進樣室上方窗口(玻璃橡膠圈密封):¢20cm
沉積室抽氣口在底部,樣品架的兩邊抽氣,有利于薄膜的均勻沉積
設備總體(tǐ)漏放(fàng)率:關機12小(xiǎo)時後,真空度≤10Pa
從大(dà)氣到抽到≤7×10-4Pa,小(xiǎo)于45min(新設備充幹燥氮氣),提高了工(gōng)作效率
樣品台可旋轉,速度:0~25轉/分(fēn) 可控可調。(樣品台尺寸¢200mm)
基片尺寸¢6英寸(根據用戶需要可變)
樣品台加熱器溫度:室溫~500±1℃。溫度可控可調
基片最大(dà)升降距離(lí)0~100mm可調
配備2支¢3英寸磁控靶,其中(zhōng)一(yī)支可鍍鐵磁材料,磁控靶可伸縮
磁控濺射靶電(diàn)源:射頻(pín)源 500W、13.56MHz;直流濺射電(diàn)源,500W
缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護
應用領域:
光伏行業(氮化矽/非晶矽/微晶矽/等離(lí)子體(tǐ)織構與刻蝕)
新型二維材料(石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制備)
半導體(tǐ)工(gōng)藝(刻蝕工(gōng)藝/氮化矽與二氧化矽工(gōng)藝等)
納米材料的生(shēng)長與納米形貌的刻蝕構造
石墨烯氫等離(lí)子體(tǐ)可控改性
氩等離(lí)子體(tǐ)可控改性:引入空位缺陷
氫等離(lí)子體(tǐ)可控改性:引入SP3缺陷
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