等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕結合了電(diàn)感耦合和電(diàn)容耦合輝光放(fàng)電(diàn)的優點，可在寬密度工(gōng)藝範圍（109-1013cm-3)實現穩定的等離(lí)子體(tǐ)輔助CVD，具有優良的材料處理性能和廣泛的應用範圍，是目前功能強大(dà)的等離(lí)子體(tǐ)CVD系統。
原創性高密度低頻(pín)平闆式電(diàn)感耦合等離(lí)子體(tǐ)系統。頻(pín)率可調節，從低頻(pín)0.5-4MHz範圍内調節；電(diàn)感天線是平闆式，可根據客戶要求改變天線的形狀、大(dà)小(xiǎo)，從而實現兩種不同的放(fàng)電(diàn)模式：電(diàn)感放(fàng)電(diàn)和電(diàn)容放(fàng)電(diàn)，兩種模式下(xià)都能實現穩定放(fàng)電(diàn)，兩種模式的等離(lí)子體(tǐ)特性截然不同，可以實現不同的功能。
等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕機理的解釋适用于所有類型的等離(lí)子體(tǐ)技術，不局限于RIE。通常，等離(lí)子體(tǐ)刻蝕是化學刻蝕，不是物(wù)理刻蝕，這意味着固體(tǐ)原子與氣體(tǐ)原子反應形成化學分(fēn)子，然後從基片表面移除形成刻蝕。因爲VDC的存在，通常存在一(yī)定的基片濺射，對于大(dà)量的刻蝕，物(wù)理刻蝕效應很弱可以被忽略。
幾個主要的刻蝕過程爲：
1、形成反應粒子；
2、反應粒子到達Wafer表面并被吸附
3、Wafer表面化學吸附反應，形成化學鍵，并形成反應産物(wù)；
4、解吸附化學反應産物(wù)，并在Wafer表面移除，抽離(lí)腔室。
等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕速率，因爲電(diàn)子密度和能量與VDC相關聯，故以上的化學反應過程與速率相對應；離(lí)子轟擊可以造成Wafer表面的建設損傷；而離(lí)子轟擊的能量與VDC相關,VDC越高轟擊越強；離(lí)子轟擊還會對刻蝕形貌有一(yī)定的影響等等對于非易揮發性副産物(wù)，通過一(yī)定的離(lí)子轟擊可以将副産物(wù)解離(lí)形成易揮發性産物(wù)，使本身在易在Wafer表面已形成的膜層消失。
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