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硒化铟晶體(tǐ) In2Se3（Indium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：8-10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化钼晶體(tǐ) 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學特性：P型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：99.995%
晶體(tǐ)尺寸：~6毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分(fēn)：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硒化鎢钼晶體(tǐ) MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide） 晶體(tǐ)尺寸：6毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分(fēn)：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化铌晶體(tǐ) 2H-NbSe2（Niobium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：金屬，半導體(tǐ)（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves （CDW） system, Tcdw ~33K 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)
二硒化鉑晶體(tǐ) PtSe2 （Platinum Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：2-3毫米 電(diàn)學性能：半金屬 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
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