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  • ACSMaterial工(gōng)業級石墨烯（10g）
    ACSMaterial工(gōng)業級石墨烯（10g）

    工(gōng)業級石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制備方法：熱剝離(lí)還原 厚度（nm）：≤3 BET比表面積（平方米/克）：~ 600 電(diàn)阻率（Ω∙cm）：0.30

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    更新日期：2018-07-09
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  • ACSMaterial羧基化石墨烯

    羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 羧基比例：5% 純度：99%

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  • ACSMaterial單層氧化石墨烯（H法/進口）
    ACSMaterial單層氧化石墨烯（H法/進口）

    單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide （H Method） 制備方法：改良的H法 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 單層比：99% 純度：99% 堆積密度：0.44g/cm3 體(tǐ)積密度：爲0.26g/cm3

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  • ACSMaterial氧化石墨烯（S法/進口）（S Method）
    ACSMaterial氧化石墨烯（S法/進口）（S Method）

    氧化石墨烯（S法/進口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外(wài)觀爲灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克 單層比：＞90% 氧含量:~35 wt%

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  • ACSMaterial氧化石墨烯（S法/進口）
    ACSMaterial氧化石墨烯（S法/進口）

    氧化石墨烯（S法/進口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外(wài)觀爲灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克

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  • 2D Semiconductor氧化石墨烯（美國）
    2D Semiconductor氧化石墨烯（美國）

    Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.

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