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單層氧化石墨烯（H法/進口）

簡要描述：單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體(tǐ)積密度：爲0.26g/cm3

  • 産品型号：ACSMaterial
  • 廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
  • 更新時間：2018-07-09
  • 訪  問  量：921
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單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體(tǐ)積密度：爲0.26g/cm3

單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體(tǐ)積密度：爲0.26g/cm3

 

 

TEM of Graphene Oxide

 

*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

 

 

TEM of Graphene Oxide

 

*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

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