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碲化砷 As2Te3 （Arsenicum Telluride）

簡要描述：晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，拓撲絕緣體(tǐ)，熱電(diàn)材料
晶體(tǐ)結構：單斜晶結構
晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX

  • 産品型号：
  • 廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
  • 更新時間：2018-08-14
  • 訪  問  量：1114
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晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，拓撲絕緣體(tǐ)，熱電(diàn)材料
晶體(tǐ)結構：單斜晶結構
晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX
 

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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