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二氧化矽基底石墨烯

簡要描述：二氧化矽基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到矽襯底

  • 産品型号：1*1cm單層
  • 廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
  • 更新時間：2018-07-05
  • 訪  問  量：868

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詳細介紹

二氧化矽基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到矽襯底

二氧化矽基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到矽襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到矽襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到矽襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉移到矽襯底（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻：小(xiǎo)于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
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