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詳細介紹
二氧化矽基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
二氧化矽基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
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2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
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