二維材料_第(51)頁-上海逅飛科技有限公司

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二維材料

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你所認識的晶體(tǐ)材料與非晶體(tǐ)，區别在哪，有解了

機械剝離(lí)單層二硫化鎢薄膜

Monolayer tungsten disulfide （1H-WS₂） flakes have been exfoliated from bulk tungsten disulfide （2H-WS₂） onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.

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更新日期：2018-07-04

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機械剝離(lí)單層二硒化鎢薄膜

Monolayer tungsten diselenide （1H-WSe₂） flakes have been exfoliated from bulk tungsten diselenide （2H-WSe₂） onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.

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更新日期：2018-07-04

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CVD轉移生(shēng)長MX2單分(fēn)子膜

Substrate: Sapphire （c-cut） Quartz （Silica） TEM grids （please supply grids） Thermal Oxide （SiO2/Si） Polyethylene terephthalate – PET Substrates

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更新日期：2018-07-04

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CVD缺陷生(shēng)長二維層

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

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HQBP高純度黑磷晶體(tǐ)

高純度黑磷晶體(tǐ) Black Phosphorus-Crystal 晶體(tǐ)結構：正斜方晶結構晶體(tǐ)尺寸：~10mm 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：斜方晶系晶胞參數：a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90° 晶體(tǐ)類型：合成晶體(tǐ)純度：99.995% 性質：半導體(tǐ)

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HQBP-As黑砷磷晶體(tǐ)黑磷-砷合金

黑砷磷/晶體(tǐ)黑磷-砷合金 BP-As alloy （Black Phosphorus-Arsenic Alloy）晶體(tǐ)尺寸：~mm 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：斜方晶系晶胞參數：晶胞參數取決于合金中(zhōng)的成分(fēn)。p/As比值爲1 a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90° 晶體(tǐ)類型：合成晶體(tǐ)純度：99.995%

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更新日期：2018-07-04

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