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銅铟硫(硒),銅铟镓硫(硒),銅鋅錫硫(硒)多元半導化合物(wù)對可見光的吸收系數和光電(diàn)轉換效率高,抗輻射能力強,吸收層材料禁帶寬度可調,性能穩定,無毒等優點,是制作薄膜太陽電(diàn)池的優良材料。傳統方法-真空濺射沉積再進行硫化或硒化反應形成薄膜太陽能電(diàn)池, 在制備過程中(zhōng)很難控制各個元素的蒸發速率和保持襯底溫度的穩定,而且由于采用了真空的工(gōng)藝環節,導緻工(gōng)藝複雜(zá),總成本很高。通過對量子點燒結形成半導體(tǐ)薄是一(yī)種新興的薄膜太陽能電(diàn)池的制備技術,可以極大(dà)簡化生(shēng)産工(gōng)藝,降低成本制,因此具有非常廣泛的應用前景。
我(wǒ)們可根據客戶需求,提供不同質量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點。
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