納米級超薄硒化铟：或是半導體(tǐ)的未來

   納米級超薄硒化铟是一(yī)種具有*性能的類石墨烯新半導體(tǐ)材料，其厚度從一(yī)層（~0.83 nm）到幾十層不等。這種新半導體(tǐ)材料的電(diàn)學和光學性能研究是在2010年物(wù)理學諾貝爾獎得主—英國曼徹斯特大(dà)學教授安德烈·海姆的實驗室進行的。近日烏克蘭和英國科學家在《Nature Nanotechnology》雜(zá)志(zhì)上發表聯合文章《高電(diàn)子遷移率、量子霍爾效應和納米級超薄硒化铟中(zhōng)的異常光學響應》，認爲硒化铟的實際應用有可能導緻納米電(diàn)子學的革命。
    石墨烯是由一(yī)層碳原子組成，與石墨烯不同，硒化铟是铟原子（In）和硒原子（Se）的二元化合物(wù)，厚度爲四個原子，原子排列順序爲Se-In-In-Se。
    該種半導體(tǐ)材料的納米膜是從與石墨烯結構相類似的硒化铟層狀晶體(tǐ)大(dà)量錠中(zhōng)得到。2013年科學家們從硒化铟層狀晶體(tǐ)中(zhōng)剝離(lí)原子薄膜，2016年研究出這種材料厚度從1個納米到幾個納米的光學和電(diàn)學性能。通過烏克蘭和英國科學家的聯合研究，硒化铟層狀晶體(tǐ)成功剝離(lí)至單層狀态。有趣的是，正如2004年獲得石墨烯一(yī)樣，剝離(lí)硒化铟的其餘層也是使用的普通膠帶。
    科學家們發現，這種材料的超薄納米層具有定性區别于其它類石墨烯二維（2D）晶體(tǐ)的*性能。因此，獲得的硒化铟樣品中(zhōng)，電(diàn)子的遷移率（即速度）很高，尤其是與二硫化钼和二硒化钼相比，這個參數值很高。這一(yī)重要特性使得其在提高設備性能方面顯得尤爲重要。
    烏克蘭國家科學院物(wù)理和數學研究所切爾諾夫分(fēn)院的研究團隊是烏克蘭爲數不多的系統從事類石墨烯二維（2D）晶體(tǐ)研究的團隊，他們還積極開(kāi)展新功能混合範德華納米異質結構研究，特别是與其它所有已知(zhī)的類石墨烯2D晶體(tǐ)相比，納米異質結構石墨烯/多層硒化铟光敏性記錄值特點明顯（可達10/W，當 λ = 633 nm時）。
    全國納米技術标準化技術委員(yuán)會低維納米結構與性能工(gōng)作組的專家介紹，硒化铟是一(yī)種Ⅲ-Ⅵ族化合物(wù)，具有不同的化學組成，其中(zhōng)研究zui多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一(yī)種N型半導體(tǐ)化合物(wù)，可以應用于光電(diàn)轉化、光催化、電(diàn)子器件等領域。
    據低維材料在線91cailiao.cn的技術工(gōng)程師Ronnie介紹，他們提供的硒化铟在室溫下(xià)的電(diàn)子遷移率達到2,000 cm2/Vs，遠遠超過了矽。在更低溫度下(xià)，這項指标還會成倍増長。超薄的硒化铟，是處于矽和石墨烯之間的理想材料。在類似于石墨烯的低維材料裏，硒化铟具有天然超薄的形态，使真正納米級的工(gōng)藝成爲可能。又(yòu)和矽類似，硒化铟是的半導體(tǐ)。